关于半导体材料的微探针分析

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关于半导体材料的微探针分析

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J.C.McCallum, C.D.Mckenzic, 邵明珠. 关于半导体材料的微探针分析[J]. 原子核物理评论, 1984, 1(2): 39-41. doi: 10.11804/NuclPhysRev.01.02.039

引用本文:

J.C.McCallum, C.D.Mckenzic, 邵明珠. 关于半导体材料的微探针分析[J]. 原子核物理评论, 1984, 1(2): 39-41. doi: 10.11804/NuclPhysRev.01.02.039

J.C.McCallum, C.D.Mckenzic, 邵明珠. 关于半导体材料的微探针分析[J]. Nuclear Physics Review, 1984, 1(2): 39-41. doi: 10.11804/NuclPhysRev.01.02.039

Citation:

J.C.McCallum, C.D.Mckenzic, 邵明珠. 关于半导体材料的微探针分析[J]. Nuclear Physics Review, 1984, 1(2): 39-41. doi: 10.11804/NuclPhysRev.01.02.039

摘要: 本文描述了墨尔本大学的核微探针。由于新的改进已得到了1μm 大的束斑,讨论了这个探针在半导体材料中的应用,特别是讨论了微区沟道的使用和图形显示。

Abstract: 本文描述了墨尔本大学的核微探针。由于新的改进已得到了1μm 大的束斑,讨论了这个探针在半导体材料中的应用,特别是讨论了微区沟道的使用和图形显示。