Advanced Search
Volume 5 Issue 3
. 
Turn off MathJax
Article Contents
Article Navigation >  Nuclear Physics Review  > 1988  >  5(3): 26-30

洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026
Citation: 洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026
shu

半导体器件的辐射效应

doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026

  • 兰州大学原子核研究所

  • Received Date: 1900-01-01
  • Rev Recd Date: 1900-01-01
  • Publish Date: 1988-09-20
  • 抗核辐射电子学对于国防和经济建设都有重大意义。为了研究出使电子器件和系统具有抗辐射能力的技术措施,就必须首先研究辐射对电子器件和系统的影响(辐射效应)以及辐射如何对电子器件和系统产生影响(损伤机制)。本文评述了辐射环境、辐射效应和损伤机制、模拟实验方法和设备以及发展概况。
  • 加载中
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索
Get Citation
PDF
XML

Article Metrics

Article views(2468) PDF downloads(555) Cited by()

Proportional views

半导体器件的辐射效应

doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026
  • 兰州大学原子核研究所
  • Received Date: 1900-01-01
  • Rev Recd Date: 1900-01-01
  • Publish Date: 1988-09-20

Abstract: 抗核辐射电子学对于国防和经济建设都有重大意义。为了研究出使电子器件和系统具有抗辐射能力的技术措施,就必须首先研究辐射对电子器件和系统的影响(辐射效应)以及辐射如何对电子器件和系统产生影响(损伤机制)。本文评述了辐射环境、辐射效应和损伤机制、模拟实验方法和设备以及发展概况。

洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026
Citation: 洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026
shu

    HTML

Catalog

    Copyright by 《Nuclear Physics Review》Editorial Office

    Address: 509 Nanchang Road, LanzhouPostCode: 730000Tel: 0931-4969374, 4969371Fax: 0931-8272100E-mail:npr@impcas.ac.cn

    陇ICP备2023003351号-2 甘公网安备 62010202000723号

    Supported by: Beijing Renhe Information Technology Co. Ltd  

    /

    DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
    Return
    Return