离子束增强附着效应
doi: 10.11804/NuclPhysRev.07.03.027
- Received Date: 1900-01-01
- Rev Recd Date: 1900-01-01
- Publish Date: 1990-09-20
Abstract: 薄膜与基体材料的粘结性能是一个十分重要的技术问题,自发现MeV 离子束轰击可显著增强界面附着力以来,探讨其机理和应用的研究工作已取得不少进展;关于高能离子束引入的电子激发过程是增强附着效应的主要起因的观点已逐步证实,但伴随强烈的电子激发在界面产生的微观过程及其与附着效应的关系还远未弄清。近年来的机理研究重点可归纳为:(1)界面化学——包括离子束感生的新化学键的形成及氧化层等界面杂质的影响;(2)界面和基体表面应力及粗糙度等机械性能的影响。近二年出现了对绝缘基体表面在镀膜前作离子束处理的方法研究,初步试验表明这不仅可从另一侧面揭示增强效应的机理而且可能是一种与离子束后处理可比拟但更具实用价值的技术,值得深入研究。
| Citation: | 裘元勋, 汤家镛. 离子束增强附着效应[J]. Nuclear Physics Review, 1990, 7(3): 27-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.07.03.027
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甘公网安备 62010202000723号
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