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Volume 38 Issue 1
Mar.  2021
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Haisheng SONG, Chengfei LI, Xianqin LI, Honglin ZHANG, Xiaoyang NIU, Wenjian SUN, Peng PENG, Chengxin ZHAO, Haibo YANG. Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply[J]. Nuclear Physics Review, 2021, 38(1): 66-72. doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048
Citation: Haisheng SONG, Chengfei LI, Xianqin LI, Honglin ZHANG, Xiaoyang NIU, Wenjian SUN, Peng PENG, Chengxin ZHAO, Haibo YANG. Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply[J]. Nuclear Physics Review, 2021, 38(1): 66-72. doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048

Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply

doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048
Funds:  National Natural Science Foundation of China(11975292, 11875304)
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  • Corresponding author: E-mail: yanghaibo@impcas.ac.cn.
  • Received Date: 2020-07-07
  • Rev Recd Date: 2020-08-09
  • Publish Date: 2021-03-20
  • Silicon Photomultiplier (SiPM) is a new generation of semiconductor photon detector, which is widely used in high-energy physics, nuclear medical imaging and nuclear physics and other fields. As the bias voltage of different SiPM is different, a high voltage power supply with adjustable voltage and temperature adaptive function is designed to meet the working voltage demand of SiPM. High voltage power supply mainly uses DC/DC module to generate high voltage to supply power to SiPM.The voltage of the high-voltage power supply can reach up to 200 V. The DC/DC module outputs different voltage values by changing the resistance value of the potentiometer to carry out partial voltage. Finally, the stability of DC/DC module, temperature adaptive testing, the performance and working characteristics of the high-voltage power supply plate were completed. The results show that the integral nonlinearity of the DC/DC module is 0.14‰, and the module works steadily. At different temperatures, the maximum change rate of system gain is 1.12%, and the system gain remains relatively stable. The maximum fluctuation of the self-made high-voltage power supply is about 0.01 V, and the work is stable. The ripple coefficient is below 0.02%, with low ripple. Meanwhile, in the same test environment, the resolution of the all-purpose peak of the high-voltage power supply and the commercial power supply are 7.84% and 9.88% respectively, and the performance of the self-made high-voltage power supply is better than that of the commercial power supply.
  • [1] 范鹏, 许天鹏, 王石, 等. 核电子学与探测技术, 2013, 33(01): 4. doi:  10.3969/j.issn.0258-0934.2013.01.002

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    TAN Xiaoming, PU Zhongsheng, WEI Zhiyong, et al. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2016, 36(04): 371. (in Chinese) doi:  10.3969/j.issn.0258-0934.2016.04.006
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通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply

doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048
Funds:  National Natural Science Foundation of China(11975292, 11875304)

Abstract: Silicon Photomultiplier (SiPM) is a new generation of semiconductor photon detector, which is widely used in high-energy physics, nuclear medical imaging and nuclear physics and other fields. As the bias voltage of different SiPM is different, a high voltage power supply with adjustable voltage and temperature adaptive function is designed to meet the working voltage demand of SiPM. High voltage power supply mainly uses DC/DC module to generate high voltage to supply power to SiPM.The voltage of the high-voltage power supply can reach up to 200 V. The DC/DC module outputs different voltage values by changing the resistance value of the potentiometer to carry out partial voltage. Finally, the stability of DC/DC module, temperature adaptive testing, the performance and working characteristics of the high-voltage power supply plate were completed. The results show that the integral nonlinearity of the DC/DC module is 0.14‰, and the module works steadily. At different temperatures, the maximum change rate of system gain is 1.12%, and the system gain remains relatively stable. The maximum fluctuation of the self-made high-voltage power supply is about 0.01 V, and the work is stable. The ripple coefficient is below 0.02%, with low ripple. Meanwhile, in the same test environment, the resolution of the all-purpose peak of the high-voltage power supply and the commercial power supply are 7.84% and 9.88% respectively, and the performance of the self-made high-voltage power supply is better than that of the commercial power supply.

Haisheng SONG, Chengfei LI, Xianqin LI, Honglin ZHANG, Xiaoyang NIU, Wenjian SUN, Peng PENG, Chengxin ZHAO, Haibo YANG. Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply[J]. Nuclear Physics Review, 2021, 38(1): 66-72. doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048
Citation: Haisheng SONG, Chengfei LI, Xianqin LI, Honglin ZHANG, Xiaoyang NIU, Wenjian SUN, Peng PENG, Chengxin ZHAO, Haibo YANG. Development and Verification of SiPM High Voltage Power Supply[J]. Nuclear Physics Review, 2021, 38(1): 66-72. doi: 10.11804/NuclPhysRev.38.2020048
    • 低温高密核物质测量谱仪(CSR External-target Experiment,CEE)将是我国第一台运行于GeV能区的、自主研制的、基于国内核物理大科学装置。图1为CEE的概念性设计图,其中零度角量能器(ZDC)的功能是测量旁观者核子的总能量,确定核核碰撞的对心程度,并辅助反应平面的确定。为了满足高集成度、低偏置电压等工程要求,ZDC预计大规模采用硅光电倍增管(SiPM)[1]完成光信号到电信号。

      SiPM是新一代的半导体光子探测器,具有高增益、光子分辨能力强、偏置电压低、探测效率高、体积较小等优点[2]。SiPM与光电倍增管(PMT)对比,体积较小,工作电压低[3],配置电路简单,具有替代PMT的潜力,所以SiPM被广泛应用在高能物理、核医学成像及核物理等领域。

      SiPM对电压的稳定性,抗噪性要求较高[4],而且SiPM的增益与SiPM的偏置电压和温度有密切关系[5-6]。由于目前商用电源不具备温度修正功能,集成度低,也无法实现在线控制,并且成本也高[7]。而这些问题恰恰在ZDC中是需要考虑的,所以需要设计一款自适应温度、高集成度、低成本且同时在线可控的高压电源。其中,利用DC/DC模块产生高压,电压可调范围是2.5 ~ 200 V;进行温度读取,根据预设温度实时输出指令,调整输出电压;可实现多路供电。通过性能测试,并将设计的高压电源与商用电源进行能谱对比测试[8],验证高压板的性能指标基本达到设计要求。

    • 图2图3分别为高压电源整体设计框图和高压电源实物图。高压电源主要由FPGA主控单元、串口模块、DC/DC模块、温度检测模块和电压检测模块组成。高压由DC/DC模块产生[8]。DC/DC模块选用APS系列,数字电位计为MCP4018,温度传感器为TMP125,电压检测选用TLV2548。DC/DC转换模块具有高稳定性,通过改变DC/DC模块的输入电压来实现高压变化,进而达到设计要求。系统采用FPGA作为中央处理器,由于SiPM受温度影响较大,通过温度检测模块,对温度进行检测,当温度发生改变时,实时调整偏置电压,实现温度自适应设计;高压电路工作时需要监测产生的高压值是否正常,系统是否正常工作,所以设计电压检测模块,检测产生的电压值,来判断高压电路板是否正常工作;低压电源接口为各个模块提供稳定的工作电源;通过串口模块调节电位计的阻值,改变DC/DC模块的输入电压,进而控制输出高压的大小。

      相比较与商用电源,本设计采用了多个技术来抑制纹波噪声,得到高稳定性的输出电压,主要包括采用高精度DC/DC模块、关键电路屏蔽保护、减少关键信号回路面积等,同时本设计结构紧凑,集成度高,并具备在线远程控制功能。

    • 图4为高压产生电路,主要由左边的可调电阻和右边的DC/DC模块组成。可调电阻与电阻R0组成分压电路,通过改变可调电阻的阻值进行分压。可调电阻选择数字电位计,可以通过数控方式调节电阻值,其具有精度高、低噪声等优点。电压转换采用DC/DC高压模块,具有高稳定性,且该DC/DC模块的金属外壳可以屏蔽最低的电磁干扰、降低输出电压的纹波和噪声。高压产生电路中输出电压由DC/DC模块的模拟控制电压(VSET)决定。数字电位计U6的脚3、脚4与主控芯片相连,通过数控方式改变阻值进行分压,使DC/DC模块的模拟控制电压输入端(VSET)的电压发生改变,进而使DC/DC模块的控制电路输出不同的电压值,实现高压产生。

      其中DC-DC变换器主要由储能电感器、控制器、MOS开关管、整流滤波电路等组成[9]。系统中输入电压到储能电感器,通过控制器电路产生矩形波控制MOS开关管的截止或导通,决定输出电压。矩形波经过小型变压器放大,然后通过二极管和电容滤波得到电源电压。

    • 电压检测电路的主要功能是通过FPGA对SiPM的工作电压值进行实时监测和调整。

      为了检测DC/DC模块是否正常工作,设计电压检测电路,如图5所示,电压检测电路主要由一个ADC芯片、外部基准电源、电阻和电容组成。检测芯片选用ADC芯片。ADC芯片具有低功耗、精度高等特点。将DC/DC模块的电压检测端(VMON)与ADC芯片的输入端脚6连接,系统工作产生高压时,ADC芯片将采集DC/DC模块电压检测端(VMON)的信号,将采集到的模拟电压信号转换成数字信号进行处理,最后通过串口RS232进行显示,进而实现电压检测。采用高稳定、高精度的外部基准电压源为ADC芯片提供稳定的+2.5 V基准电压。

    • 温度检测电路的功能是当检测到温度变化时,根据主控中预设的电压值实时调节SiPM的偏置电压,从而实现SiPM的增益相对稳定。

      温度检测电路图如图6所示,温度检测由电阻、电容和温度温度传感器组成。检测电路采用兼容SPI的数字温度传感器,其具有高精度、低功耗等特性。温度检测电路不需要外部元件,温度传感器连续地将温度转换成数字数据,中央处理器FPGA连接芯片的脚6,周期性地读取温度传感器的数字信号,然后对读取到的数据进行处理分析,最后将采集到的温度通过串口RS232显示,实现温度检测。

    • 系统软件设计功能是通过软件对系统进行配置,实现在线控制高压输出,实时检测电压,根据温度变化实时调节SiPM的偏置电压。

      图7所示,控制系统主要由以下几部分组成:A/D模块、温度检测模块、IIC模块、串口RS232模块和时钟模块。系统选用Cyclone Ⅲ系列EP3C16F484作为核心控制器件。IIC模块用来控制数字电位计,通过串口RS232模块向IIC模块写入不同的数据,从而改变数字电位计的阻值进行分压,使得DC/DC模块输入端的电压发生改变,产生不同的电压。为了检测电压是否正常,用A/D模块采集模拟电压信号,并将电压信号转换成数字信号,存储在数据寄存器中,然后通过串口RS232模块将实时电压可视化。温度检测模块使用SPI控制温度传感器读取数字信号,然后将读取到的温度通过RS232模块进行显示。时钟模块的主要功能是利用PLL对系统的时钟信号进行转化,将系统40 MHz的时钟频率转换为50 MHz,然后分别为RS232模块、IIC模块、A/D模块、温度检测模块提供稳定的时钟信号。

    • 首先对高压产生模块(DC/DC模块)进行稳定性测试,然后对自制高压板进行特性测试,高压电源达到性能指标后,分别与商用高压电源为SiPM提供偏置电压,通过测试,进行能谱图分辨率对比。

    • DC/DC模块将输入电压进行升压放大,通过不断改变DC/DC模块的输入电压,得到对应的电压输出值。结果如图8所示,横坐标是DC/DC模块的输入电压,单位为V。纵坐标是测量DC/DC模块输出的电压值(其纵坐标为左边的纵坐标)。对DC/DC模块的输入电压和输出电压进行线性拟合(如图中红线所示),经过线性拟合,得到DC/DC模块的放大倍数约为80.79,测量值与理论值最大差值为0.01,经计算得到其积分非线性为0.14‰,所以模块工作稳定。

    • 图9为加入温度自适应后道数测试结果图,系统测试在高温箱中进行,将温度分别设置为30, 25, 20, 15, 10, 5, 0, –5, –10 ℃,增益越大其道数越大,测试时,以温度30 ℃,偏置电压55 V为基准。随着温度的降低,SiPM的增益升高。加入温度自适应后,在不同温度下调整偏置电压,使道数保持在一个相对恒定的水平。

      从测试结果看出,经过温度自适应调整,SiPM的增益随温度变化的程度减小,最大变化率为1.12%,系统增益保持相对稳定。

    • 首先对高压电源的稳定性进行测试,选用日本滨松公司的SiPM(S13360-6050CS),其偏置电压为+55 V,系统测试将高压模块输出电压调至+55 V,持续工作3 h[10],测量结果如图10所示。从图10中可以看出,电源在持续工作中,最大波动约为0.01 V,输出电压整体工作稳定。

      使高压电源稳压后进行纹波测试,将示波器和测试电路板的干扰降至最低,示波器的探头选用1:1,示波器调至交流耦合,带宽调至20 MHz,避免电路中高频噪声的影响,然后对电压输出端进行测试。测得纹波噪声如图11所示,得到纹波有效值约为1.82 mV。通过调节电压,将电压升高,然后依次记录并进行纹波测试,由图12所示,电压升高至40 V,纹波参数在2 mV以下,经过计算纹波系数在0.02%以下,具有低纹波特性。

    • 准备开始系统测试,要对系统进行验证。SiPM的增益与SiPM的偏置电压有密切关系。根据芯片手册推荐,该型号SiPM的工作偏置电压为55 V左右。为了保证其增益性能,采用了不同的偏置电压进行测试,如图13所示,横轴为ADC道值,纵轴为道值的计数。测试表明,偏置电压增高,SiPM的增益明显提高。符合SiPM供电与增益的关系。因此,在测试中采用了55 V作为偏置电压。

      对高压电源的特性进行测试,其输出电压整体工作稳定,且纹波系数低。为了验证其优于商用电源,需要进行工作特性测试。如图14所示实验测试系统框图,测试环境主要由高压电源、电路读出系统、计算机等组成。测试时,需要用遮光布将SiPM、晶体和放射源遮住,将系统放置在一个黑暗环境中,高压电源给SiPM提供偏置电压,放射源打出的粒子经过晶体转换为光信号,然后光信号通过SiPM转化为电信号,通过电路读出系统输入到上位机中进行数据处理,得到放射源的能谱图。

      测试选用Cs-137作为放射源,CSI作为晶体,分别使用商用电源(ORTEC-710)和自制高压电源为SiPM提供+55 V的电压,通过能谱分析,对自制高压电源的性能进行分析。

      图15所示测试能谱图,图中横坐标为道数,纵坐标为道值的计数。黑色为高压电源测试的能谱图,红色为商用电源测试的能谱图。通过计算,使用自制高压电源测试的全能峰分辨率为7.84%;使用商用电源测试的全能峰分辨率为9.88%。经过对比,在同一环境下,自制高压电源测到的分辨率低于商用电源测到的分辨率,自制高压电源的性能要优于商用电源。测试结果表明,采用上述创新设计,高压电源具有输出高压且在线可调、纹波噪声低、多路供电等优点,性能优于商用电源。

    • 本文采用DC/DC模块来实现高压产生,通过数控方式调节数字电位计的阻值进行分压,进而改变DC/DC模块的输入电压。完成了DC/DC模块的稳定性测试、温度自适应测试,高压电源的性能及工作特性测试。测试结果表明,DC/DC模块的积分非线性为0.14‰,模块工作稳定;在不同温度下,系统增益的最大变化率为1.12%,系统增益保持相对稳定;自制的高压电源最大波动约为0.01 V,工作稳定;纹波系数在0.02%以下,具有低纹波特性;在同一环境下进行对比测试,采用同一放射源作为测试光源,自制高压电源与商用高压电源分别为同一个SiPM提供+55 V的偏置电压,将测得的放射源能谱图进行分辨率对比,自制高压电源测试的能量分辨率为7.84%,商用电源测试的能量分辨率为9.88%,自制高压电源的性能要优于商用电源的性能。本次设计基本可以满足实验要求,可以更精确、更稳定地为SiPM提供偏置电压。

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